Сведения о контракте
| Номер контракта: | 1702100004315000142 |
| Сумма контракта: | 43 600.00 RUB |
| Регион: | Томская область |
| Способ размещения заказа: | Электронный аукцион |
| Дата проведения аукциона: | 2015-10-29 |
| Дата заключения контракта: | 2015-11-10 |
| Дата публикации: | 2015-11-11 |
| Срок исполнения контракта: | 2016-01-10 |
| Федеральный закон: | 44-ФЗ |
| Ссылка на zakupki.gov.ru: | |
| Ссылка на .json файл контракта: | Перейти |
| Количество поставщиков: | 1 Показать |
Заказчик
| Наименование заказчика: | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" |
| ИНН / КПП : | 7021000043 / 701701001 |
| Кол-во контрактов (94/44-ФЗ): | 4712 |
| Кол-во контрактов (223-ФЗ): | 3725 |
| Сумма контрактов (94/44-ФЗ): | 15 479 174 405 RUB |
| Сумма контрактов (223-ФЗ): | 4 092 957 472 RUB |
Не нашли, что искали? Нашли ошибку или персональные данные?
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Предметы контракта:
|
#
|
Наименование товара, работ, услуг
|
Код продукции
|
Единицы измерения
|
Цена за единицу
|
Количество
|
Сумма,
руб
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
1
|
Диод MB6f Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd (LUGUANG), Китай Назначение: диодный мост,
максимальное обратное напряжение: 600В,
максимальный прямой ток: 0,5А
|
32.10.51.119
|
ШТ
|
10.92
|
250.0
|
2 730.00
|
|
2
|
Диод E1J Yangjie Technology, Китай Назначение: выпрямительный диод,
максимальное обратное напряжение: 600В,
максимальный прямой ток:1А
время обратного восстановления: 250 нС
|
32.10.51.119
|
ШТ
|
6.55
|
250.0
|
1 637.50
|
|
3
|
Микросхема SM 7315P RS, Китай Назначение: драйвер светодиодов импульсного типа,
Рабочее напряжение: 700В
Выходная мощность: до 9Вт включительно
Ток нагрузки до 150 мА включительно
|
32.10.62.119
|
ШТ
|
142.11
|
150.0
|
21 316.50
|
|
4
|
Конденсатор NRE-AX4R7M400V8X9F NIC Components Corp, США емкость: 4,7 мкФ,
максимальное рабочее напряжение: 400В,
тип: электролитический,
габаритные размеры: 08Х09 мм
|
32.10.12.111
|
ШТ
|
31.16
|
200.0
|
6 232.00
|
|
5
|
Конденсатор SK 400В 2.2мкФ 0811 105C Yageo, Тайвань емкость: 2,2 мкФ,
максимальное рабочее напряжение: 400В,
тип: электролитический,
габаритные размеры: 08Х11 мм
|
32.10.12.111
|
ШТ
|
6.13
|
50.0
|
306.50
|
|
6
|
Конденсатор GRM31CR72E104KW03L Murata, Япония Ёмкость: 0.1 мкФ; Рабочее напряжение:250 В;
Допуск: ±10%;
Диэлектрик: X7R;
корпус 1206
|
32.10.12.111
|
ШТ
|
6.30
|
250.0
|
1 575.00
|
|
7
|
Конденсатор GRM32DR72E224KW01L Murata, Япония Ёмкость: 0.22 мкФ;
Рабочее напряжение:250 В;
Допуск: ±10%;
Диэлектрик: X7R;
корпус 1210
|
32.10.12.111
|
ШТ
|
9.86
|
100.0
|
986.00
|
|
8
|
Конденсатор SMD0805 X7R 50В 1мкФ Murata, Япония Ёмкость: 1 мкФ;
Рабочее напряжение:50 В;
Допуск: ±10%;
Диэлектрик: X7R;
корпус 0805
|
32.10.12.111
|
ШТ
|
1.48
|
250.0
|
370.00
|
|
9
|
Конденсатор SMD0603 1 мкФ,X5R 25В, 10%,0603, GRM188R61E105K Murata, Япония Ёмкость: 1 мкФ;
Рабочее напряжение:25 В;
Допуск: ±10%;
Диэлектрик: X7R;
корпус 0603
|
32.10.12.111
|
ШТ
|
1.09
|
100.0
|
109.00
|
|
10
|
Дроссель SDR0503-682JL BOURNS, США Номинальная индуктивность: 6,8мГн
Максимальный ток: 34мА
|
31.10.62.120
|
ШТ
|
60.12
|
20.0
|
1 202.40
|
|
11
|
Дроссель SDR0805-472KL BOURNS, США Номинальная индуктивность: 4,7мГн
Максимальный ток: 70мА
|
31.10.62.120
|
ШТ
|
32.79
|
30.0
|
983.70
|
|
12
|
Дроссель 22R475C Murata, Япония Номинальная индуктивность: 4,7 мГн
Максимальный ток: 81мА
|
31.10.62.120
|
ШТ
|
78.02
|
30.0
|
2 340.60
|
|
13
|
Дроссель 22R225C Murata, Япония Номинальная индуктивность: 2,2мГн
Максимальный ток: 110мА
|
31.10.62.120
|
ШТ
|
78.02
|
30.0
|
2 340.60
|
|
14
|
Резистор MF-25-33R Vishay, США Номинальное сопротивление: 33 Ом
Допуск: 1%
Тип корпуса: аксиальный
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
1.42
|
100.0
|
142.00
|
|
15
|
Резистор MF-25-10R Vishay, США Номинальное сопротивление: 10 Ом
Допуск: 5%
Тип корпуса: аксиальный
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
3.38
|
200.0
|
676.00
|
|
16
|
Резистор smd1206 300кОм Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 300кОм
Допуск: 5%
Тип корпуса: 1206
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
300.0
|
84.00
|
|
17
|
Резистор smd0805 680кОм Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 680кОм
Допуск: 5%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
100.0
|
28.00
|
|
18
|
Резистор smd0805 3,9 Ом Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 3,9 Ом
Допуск: 5%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
50.00
|
0.28
|
14.00
|
|
19
|
Резистор smd0805 4,3 Ом Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: Допуск: 5%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
100.0
|
28.00
|
|
20
|
Резистор smd0805 4,7 Ом Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 4,7 Ом
Допуск: 1%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
50.0
|
14.00
|
|
21
|
Резистор smd0805 5,1 Ом Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 5,1 Ом
Допуск: 5%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
50.0
|
14.00
|
|
22
|
Резистор smd0805 6,2 Ом Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 6,2 Ом
Допуск: 5%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
100.0
|
28.00
|
|
23
|
Резистор smd0805 6,8 Ом Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 6,8 Ом
Допуск: 5%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
50.0
|
14.00
|
|
24
|
Резистор smd0805 8,2 Ом Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 8,2 Ом
Допуск: 5%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
50.0
|
14.00
|
|
25
|
Резистор smd0805 10 Ом Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 10 Ом
Допуск: 5%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
50.0
|
14.00
|
|
26
|
Резистор smd0603 6,2 Ом Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 6,2 Ом
Допуск: 5%
Тип корпуса: 0603
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.43
|
100.0
|
43.00
|
|
27
|
Резистор smd0805 300кОм Yageo, Тайвань Номинальное сопротивление: 300кОм
Допуск: 5%
Тип корпуса: 0805
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
0.28
|
100.0
|
28.00
|
|
28
|
Варистор 08CH561K sfi electronics technology inc, Тайвань Рабочее напряжение (макс.): 300В
Напряжение пробоя при токе, 1 мА Макс.: 400В
пиковый ток, (8/20 мкс): 25А
Напряжение фиксации при токе 10А: 923В
Поглощаемая энергия за 2 мс (макс.) 560 Дж
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
16.52
|
10.0
|
165.20
|
|
29
|
Варистор 08CH471K sfi electronics technology inc, Тайвань Рабочее напряжение (макс.): 350В
Напряжение пробоя при токе, 1 мА Макс.: 350В
пиковый ток, (8/20 мкс): 25А
Напряжение фиксации при токе 10А: 775В
Поглощаемая энергия за 2 мс (макс.) 470 Дж
|
32.10.20.119
|
ШТ
|
16.40
|
10.0
|
164.00
|
Отрасль экономики:
|
1
|
Продукция обрабатывающих производств
|
Информация о поставщике:
|
#
|
Наименование
|
Адрес:
|
ИНН
|
КПП
|
|---|---|---|---|---|
|
1
|
7017334149
|
701701001
|
Комментарии: