Сведения о контракте
| Номер контракта: | 1540810005717000044 |
| Сумма контракта: | 119 646.94 RUB |
| Регион: | Новосибирская область |
| Способ размещения заказа: | Электронный аукцион |
| Дата проведения аукциона: | 2017-09-19 |
| Дата заключения контракта: | 2017-10-02 |
| Дата публикации: | 2017-10-03 |
| Срок исполнения контракта: | 2017-10-12 |
| Федеральный закон: | 44-ФЗ |
| Ссылка на zakupki.gov.ru: | |
| Ссылка на .json файл контракта: | Перейти |
| Количество поставщиков: | 1 Показать |
Заказчик
| Наименование заказчика: | Новосибирский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук "Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники" |
| ИНН / КПП : | 5408100057 / 540802001 |
| Кол-во контрактов (94/44-ФЗ): | 196 |
| Кол-во контрактов (223-ФЗ): | 52 |
| Сумма контрактов (94/44-ФЗ): | 201 169 063 RUB |
| Сумма контрактов (223-ФЗ): | 33 543 609 RUB |
Не нашли, что искали? Нашли ошибку или персональные данные?
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Предметы контракта:
|
#
|
Наименование товара, работ, услуг
|
Код продукции
|
Единицы измерения
|
Цена за единицу
|
Количество
|
Сумма,
руб
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
1
|
AD8041AR Analog Devices микросхема, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
200.00
|
9.0
|
1 800.00
|
|
2
|
AD9762ARU Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
970.00
|
6.0
|
5 820.00
|
|
3
|
CY7C1380F-167BZI Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
1 935.00
|
24.0
|
46 440.00
|
|
4
|
EP3C120F780I7 Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
12 500.00
|
2.0
|
25 000.00
|
|
5
|
EPCS64SI16N Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
200.00
|
3.0
|
600.00
|
|
6
|
FT2232HQ (типоразмер QFN64_M - d) Микросхема, Великобрита?ния
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
650.00
|
6.0
|
3 900.00
|
|
7
|
SN65LVDS391PW Texas Instruments микросхема, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
154.00
|
54.0
|
8 316.00
|
|
8
|
SN65LVDT388ADBT Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
550.00
|
36.0
|
19 800.00
|
|
9
|
TPS62205DBVT Texas Instruments микросхема, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
50.00
|
6.0
|
300.00
|
|
10
|
TPS64200DBVR Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
50.00
|
6.0
|
300.00
|
|
11
|
BDW93C Транзистор, Швейцария
|
26.11.21.120
|
ШТ
|
40.00
|
8.0
|
320.00
|
|
12
|
SI2323DS-T1-E3 Vishay/Siliconix транзистор, США
|
26.11.21.120
|
ШТ
|
9.00
|
12.0
|
108.00
|
|
13
|
КТ863БС (корпус ТО-263) Транзистор, Россия
|
26.11.21.120
|
ШТ
|
29.00
|
8.0
|
232.00
|
|
14
|
KP-1608SURC Диод, Тайвань
|
26.11.21.110
|
ШТ
|
5.00
|
30.0
|
150.00
|
|
15
|
KP-1608VGC Диод, Тайвань
|
26.11.21.110
|
ШТ
|
5.00
|
30.0
|
150.00
|
|
16
|
MBR0540T1 (ChipA) Диод, США
|
26.11.21.110
|
ШТ
|
10.00
|
9.0
|
90.00
|
|
17
|
PGB1010603MR Littelfuse диод, США
|
26.11.21.110
|
ШТ
|
6.00
|
30.0
|
180.00
|
|
18
|
Тип А 16В 10мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
6.00
|
30.0
|
180.00
|
|
19
|
Тип А 6,3В 10мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
6.00
|
120.0
|
720.00
|
|
20
|
Тип С 6,3В 100мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
15.00
|
30.0
|
450.00
|
|
21
|
Тип С 10В 47мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
10.00
|
30.0
|
300.00
|
|
22
|
Тип Е 6,3В 680мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
50.00
|
60.0
|
3 000.00
|
|
23
|
0603 COG 50В 10пФ Конденсаторы керамические, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
0.50
|
30.0
|
15.00
|
|
24
|
0603 COG 50В 22пФ Конденсаторы керамические, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
0.50
|
30.0
|
15.00
|
|
25
|
0603 X7R 50В 0,1мкФ Конденсаторы керамические, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
0.50
|
300.0
|
150.00
|
|
26
|
0603 X7R 25В 0,22мкФ Конденсаторы керамические, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
0.50
|
450.0
|
225.00
|
|
27
|
CAT16-102J4LF Bourns резисторы, США
|
27.90.13.123
|
ШТ
|
1.00
|
12.0
|
12.00
|
|
28
|
CAT16-103J4LF Bourns, резистор, США
|
27.90.13.123
|
ШТ
|
1.00
|
12.0
|
12.00
|
|
29
|
0603 100 кОм ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
|
30
|
0603 100 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
|
31
|
0603 1 кОм ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
|
32
|
0603 24,9 Ом ±1% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
|
33
|
0603 2 кОм ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
|
34
|
0603 51 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
180.0
|
36.00
|
|
35
|
0603 75 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
|
36
|
0603 0 Ом Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
|
37
|
0603 200 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
60.0
|
12.00
|
|
38
|
0603 470 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
60.0
|
12.00
|
|
39
|
0603 68 кОм ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
|
40
|
0603 0,01 Ом Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
1.00
|
30.0
|
30.00
|
|
41
|
KXO-V97T 20 MHz Кварц, Германия
|
27.11.10.130
|
ШТ
|
100.00
|
6.0
|
600.00
|
|
42
|
LQH32CN330K53L Индуктивности, Япония
|
27.33.13.164
|
ШТ
|
10.00
|
12.0
|
120.00
|
|
43
|
LQM21DN100N00D (Murata) индуктивность, Япония
|
27.33.13.164
|
ШТ
|
2.00
|
12.0
|
24.00
|
|
44
|
CDRH4D28-100N Индуктивности, Тайвань
|
27.11.50.130
|
ШТ
|
15.00
|
12.0
|
179.94
|
Информация о поставщике:
|
#
|
Наименование
|
Адрес:
|
ИНН
|
КПП
|
|---|---|---|---|---|
|
1
|
7736261847
|
773601001
|
Статья бюджета:
|
#
|
Код бюджетной классификации (КБК)
|
Дата
|
Сумма, руб
|
|---|---|---|---|
|
1
|
00000000000000000224
|
10.2017
|
119646.94
|
Комментарии: