Контракт: 1231109275217000282

1

Вычислительный узел Intel® Compute Module HNS2600KPR   Китай/Вьетнам 26.20.40.190   шт 1 Совместимость с серверной платформой Intel h2312xxkr2 наличие Форм-фактор Blade Количество юнитов 1 Количество встроенных вентиляторов 3 Гарантия производителя 3 года наличие Кол-во соединений QPI 2 Форм-фактор платы, дюйм 6.4 x 17.7 Форм-фактор корпуса Rack Количество разъемов  процессоров 2 Тип разъемов процессоров LGA2011-3 Поддерживаемые линейки моделей процессоров Intel Xeon Processor E5-2600 v4 и выше Наличие слота под райзер-карту наличие Конфигурация RAID поддержка RAID 5 Интегрированный контроллер BMC с интерфейсом IPMI IPMI 2.0 Оптимизированная для стойки плата наличие Расчетная мощность, Вт 145 Спецификации модулей памяти Макс. объем памяти, Гб 512 Поддерживаемые типы памяти DDR4-1600/1866/2133/2400 Количество слотов оперативной памяти, шт 8 Макс. пропускная способность памяти, ГБ/с 153,6 Поддержка памяти ECC наличие Спецификации графической подсистемы Интегрированная графическая система наличие Вывод графической системы VGA Дискретная графическая система поддержка

26.20.40.190

ШТ

46 989.79

1.0

46 989.79

2

Процессор Intel® Xeon® Processor E5-1620 v4 (10M Cache, 3.50 GHz) FC-LGA14A, Tray   Китай/Вьетнам 26.11.30.000   шт 2 Совместимость с вычислительным узел Intel HNS2600KPR Наличие Частота процессора, ГГц 3,5 Количество ядер, шт 4 Сокет LGA2011-v3 Техпроцесс,  нм 14 Базовая частота,  МГц 100 Значение коэффициента умножения 35 Редакция PCI-Express 3.0 Количество линий PCI-Express 40 Объем кэша L1,  кБ 256 Объем кэша L2, МБ 1 Объем кэша L3, МБ 10 DMI (Direct Media Interface) наличие Максимальная пропускная способность процессорной шины, ГТ/с 5 Поддержка AMD64/Intel 64/EM64T наличие Поддерживаемые инструкции AVX, AVX 2.0, MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4, SSE4.1, SSE4.2 наличие Поддержка Virtualization Technology (VT-x) наличие Максимальный объем поддерживаемой памяти, ГБ 1536 Максимальная поддерживаемая частота,  МГц 2400 Минимальная поддерживаемая частота,  МГц 1600 Поддерживаемый тип памяти DDR4 Количество поддерживаемых каналов 4 Максимальная пропускная способность шины памяти,  ГБ/с 76.8 Поддержка ECC наличие TDP (тепловыделение),  Вт 140 Максимальная рабочая температура

26.11.30.000

ШТ

25 422.15

2.0

50 844.30

3

Оперативная память Kingston 16GB 2133MHz DDR4 ECC Reg CL15 DIMM DR x4 w/TS   Китай 26.20.21.110   шт 3 Стандарт DDR4   Форм-фактор DIMM Объем одного модуля, Гб 16 Количество модулей в комплекте, шт. 1 Эффективная частота,  МГц 2133 Пропускная способность,  Мб/с 17000 Поддержка ECC наличие Буферизованная (регистровая) наличие CAS Latency (CL) 15 RAS to CAS Delay (tRCD) 15 Row Precharge Delay (tRP) 15 Activate to Precharge Delay (tRAS) 40 Напряжение питания, В 1.2 Нормальная операционная температура (Tcase),  °C 85 Расширенная операционная температура (Tcase), °C 95 Компоновка чипов на модуле Двусторонняя

26.20.21.110

ШТ

12 212.21

3.0

36 636.63

4

Жесткий диск SSD диск Intel 540s Series SSDSC2KW240H6X1 240 Гб   Китай/Вьетнам 26.20.21.110   шт 4 Тип SSD Поддержка секторов размером 4 Кб (Advanced Format) наличие Форм-фактор, дюйм 2,5 Ёмкость, Гб 240 Тип памяти TLC Максимальная скорость чтения, МБ/с 560 Максимальная скорость записи, МБ/с 480 Максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), IOPS 74000 Максимальная скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), IOPS 85000 Среднее время задержки (average latency), мс 0,05 Техпроцесс, нм 16 Поддержка TRIM наличие Поддержка NCQ наличие Поддержка шифрования данных AES 256 бит наличие Поддержка ECC наличие Тип разъема SATA Версия SATA, Гбит/с 6 Среднее время наработки на отказ (MTBF), ч 1600000 Ударостойкость при работе,  G 1500 Ударостойкость при хранении,  G 1500 Энергопотребление, Вт 0,09 Низкий профиль наличие Диапазон рабочей температуры,  °С  0 - 70

26.20.21.110

ШТ

7 890.22

4.0

31 560.88

1

350049, КРАЙ КРАСНОДАРСКИЙ 23, Г КРАСНОДАР, УЛ КРАСНЫХ ПАРТИЗАН, ДОМ 212, ОФИС 412

230801001

1

18807060840690059242

12.2017

166031.60