Контракт: 0365100000813000436

1

Микросхема 1. Назначение: синтезатор прямого цифрового синтеза (DDS). Рабочая частота: 500 МГц; Число каналов: 4; Разрядность установки амплитуды: 10 бит; Разрядность установки частоты: 32 бита; Напряжение питания: 1,71 – 1,96 В; Корпус 56-LFCSP; Количество выводов: 56.

3211443

Штука

3 438.32

3

10 314.96

2

Микросхема 2. Назначение: высокоскоростной компаратор. Число элементов в схеме: 2 Выход: дифференциальный PECL. Напряжение питания: ±4.75 В - 5.25 В Подавление синфазной составляющей: 80дБ; Задержка сигнала: не более 1 нс; Гистерезис: ±1мВ; Длительность фронта/спада: не более 500 пс; Корпус QSOP; Количество выводов: 16.

3211443

Штука

271.63

10

2 716.30

3

Микросхема 3. Назначение: переключатель SPDT. Полоса частот: 0 – 6 ГГц. Потери в полосе частот: не более 0,5 дБ. Изоляция между выходами: 27 дБ. Время включения/выключения: не более 30 нс. Корпус: MS8G. Число выводов: 8.

3211443

Штука

328.74

10

3 287.40

4

Микросхема 4. Назначение: высокоскоростной компаратор. Число элементов в схеме: 1 Выход: дифференциальный ECL. Напряжение питания: ±4.75 В - 5.25 В Подавление синфазной составляющей: 80дБ; Задержка сигнала: не более 180 пс; Гистерезис: ±1мВ; Длительность фронта/спада: не более 500 пс; Корпус QSOP; Количество выводов: 16.

3211443

Штука

271.63

10

2 716.30

5

Отладочная плата 2. Назначение: отладочная плата тактового распределительного буфера с делением частоты и управлением задержкой • 1.65GHz дифференциальные тактовые входы / выходы • 10-битный программируемые делители, от 1 до 1024, все целочисленные • до 4 дифференциальных выходов или 8 выходов CMOS • выводы для программирования и питания • Случайный джиттер <115fs RMS • Аддитивный джитттер: 41fs RMS (в диапазоне от 12 кГц до 20 МГц) • Отличная изоляция между входом и выходом • Автоматическая синхронизация всех выходов • Однополярный 2,5 V/3.3 источник питания • Внутренний регулятор напряжения • 3 программируемых выходных логических уровней, LVDS, HSTL и CMOS • Последовательный порт управления (SPI/I2 C) или пин-программируемый режим

3211443

Штука

10 527.58

1

10 527.58

6

Микросхема 9.Назначение: тактовый распределительный буфер с делением частоты и управлением задержкой • 1.65GHz дифференциальные тактовые входы / выходы • 10-битный программируемые делители, от 1 до 1024, все целочисленные • до 4 дифференциальных выходов или 8 выходов CMOS • выводы для программирования и питания • Случайный джиттер <115fs RMS • Аддитивный джитттер: 41fs RMS (в диапазоне от 12 кГц до 20 МГц) • Отличная изоляция между входом и выходом • Автоматическая синхронизация всех выходов • Однополярный 2,5 V/3.3 источник питания • Внутренний регулятор напряжения • 3 программируемых выходных логических уровней, LVDS, HSTL и CMOS • Последовательный порт управления (SPI/I2 C) или пин-программируемый режим • Корпус 24-выводной LFCSP

3211443

Штука

634.75

5

3 173.75

7

Отладочная плата 3. Назначение: отладочная плат системы сбора данных. Поддержка CMOS / LVTTL выходов Частота дискретизации до 135 Мвыб/ c Питание: USB или внешний источник 6 – 9 В Расчет БПФ измеренного сигнала Оценка параметров SNR, SINAD, THD, SFDR, ENOB тестируемых АЦП

3211443

Штука

23 222.60

1

23 222.60

8

Отладочная плата 4. Назначение: отладочная плата АЦП. Частота дискретизации 1 МГц Нелинейность ±1.75LSB INL (Max) Разрядность 18-Bit Энергопотребление: 13.5 мВт @ 1 МГц, 13.5 мкВт @ 1 кГц Соотношение сигнал/шум 102дБ @ 2 кГц Гармонические искажения –124 дБ @ 2kHz Напряжение питания 2.5 В Напряжение логического ввода/вывода 1.8 В 5В Интерфейс SPI

3211443

Штука

11 611.30

1

11 611.30

9

Источник тока 1. Назначение: литиево-полимерный аккумулятор Химический состав Li, Pol Номинальное напряжение 3.7 В Номинальная ёмкость 1.35 Ач Стандартный ток разряда 260 мА Продолжительный ток разряда (макс) 2.6 А Размер 59 x 37 x 5 мм Вес 27.15 г

3211443

Штука

242.13

2

484.26

10

Микросхема 9. Назначение: Контроллер заряда батарей Ток заряда: до 800 мА Рабочее напряжение элемента 4.2 В Точность контроля ±1% Автоматический перезаряд Потребляемый ток в спящем режиме 25 мкА Корпус SOT-23

3211443

Штука

163.02

3

489.06

11

Источник питания 3. Назначение: ГИС источника питания Выходная мощность (ном) 15 Вт Напряжение 1 канала 12 В Выходной ток 1 канала до 1.25 А Тип стабилизации напряжение Вход 110/220В авто Конструктивное исполнение на печатную плату Типы защиты КЗ, перегрузка, перенапряжение, перегрев Количество выходов 1 Входное напряжение AC 85...264 В Входное напряжение DC 120...370 В Напряжение изоляции вход-выход 4 кВ КПД 78 % Шум 150 мВ Размер 70 x 48 x 22 мм Рабочая температура -20...70 °C Температура хранения -40...85 °C

3211443

Штука

526.38

2

1 052.76

12

Соединитель 1. Назначение: Контакты D-Sub Тип контакта: Socket (Female) Материал контакта: Copper Alloy Покрытие контакта: Gold Тип провода: 28-26 Тип выводов: Crimp Номинальный ток: 3 A Серия: 83000

3211443

Штука

22.68

200

4 536.00

13

Микросхема 13. Назначение - высокоскоростной элемент И Число элементов – 4 Логические уровни – КМОП/ ТТЛ Рабочая частота – 1,25 ГГц (на нагрузку 2 пФ) Длительность фронта (по уровню 0,8 – 2 В) – 800 пс Рабочие напряжения – 1,6 – 3,6 В Задержка распространения – 1, 5 нс. Корпус – SOIC 14

3211443

Штука

287.96

10

2 879.60

14

Микросхема 14. Назначение - высокоскоростной буфер Число каналов – 6 Логические уровни – КМОП/ ТТЛ Рабочая частота – 1,25 ГГц (на нагрузку 2 пФ) Длительность фронта (по уровню 0,8 – 2 В) – 800 пс Рабочие напряжения – 1,6 – 3,6 В Задержка распространения – 1, 5 нс. Корпус – SOIC 14

3211443

Штука

287.96

10

2 879.60

15

Микросхема 15. Назначение – микросхема сопряжения Число каналов – 2 Входные логические уровни – LVDS, LVPEC, LVDS Входной логический уровень – LVTTL Рабочая частота – 1 ГГц (на нагрузку 2 пФ) Длительность фронта (по уровню 0,8 – 2 В) – 800 пс Рабочие напряжения – 1,6 – 3,6 В Задержка распространения – 1,8 нс. Корпус – SOIC 8

3211443

Штука

287.96

10

2 879.60

16

Соединитель 4. Вид соединителя D-Type, Micro-D Тип соединителя Мама Монтаж: на плату (угловой) Число контактов 15 Число рядов 2 Монтаж – пайка Особенность - экранированный Покрытые контактов – золото Толщина покрытия - 0.38мкм Температурный диапазон -55°C ~ 125°C Максимальное напряжение 350 В

3211443

Штука

1 189.00

10

11 890.00

17

Микросхема 16. Назначение СВЧ усилитель Диапазон рабочих частот: 0,5 – 2,5 ГГц Напряжение питания 2,8 – 5 В Коэффициент усиления – 18,5 – 20 дБ Максимальная входная мощность – 18. дБм Коэффициент шума < 3 дБ Направленность > 17 дБ Корпус DQ849

3211443

Штука

325.12

12

3 901.44

18

Микросхема 17. Назначение СВЧ усилитель Диапазон рабочих частот: 0,01 – 6 ГГц Напряжение питания 4,8 – 5,2 В Коэффициент усиления – 19 дБ Обратные потери – 14 дБ Максимальная входная мощность – 17 дБм Коэффициент шума < 3,7 дБ Направленность > 20 дБ Корпус sot89

3211443

Штука

133.14

15

1 997.10

19

Микросхема 18. Назначение – набор высоковольтных мультиплексоров. Число мультиплексоров – 2 Тип мультиплексора: 1 на 4 Коммутируемое напряжение – 170 В Коммутируемый ток – 0,5 А Сопротивление изоляции 10 ГОм Контактное сопротивление – 200 мОм Паразитная емкость < 0,3 пФ Время переключения < 500 мкс Рабочее напряжение – 5 В Размеры (не более) – 15x33x7,5 мм

3211443

Штука

2 244.85

80

179 588.00

20

Микросхема 7. Назначение: преобразователь уровней. Корпус SOIC-8-3.9 Количество линий 2 Количество каналов 2 Количество линий в канале 1 Тип входного сигнала PECL Тип выходного сигнала TTL Напряжение питания входа 4.75...5.25 В Напряжение питания выхода 4.75...5.25 В Задержка прохождения сигнала (макс) 5 нс Рабочая температура -40...85 °C

3211443

Штука

187.76

10

1 877.60

21

Отладочная плата 1. Назначение: отладочная плата синтезатора частоты. 4 синхронных канала; Независимое управление частотой/фазой/амплитудой Согласованные задержки Изоляция между каналами >65 дБ Возможность линейной развертки частоты, фазы, амплитуды До 16 уровней модуляции частоты, фазы, амплитуды 4 интегрированных 10-битных ЦАП Точность установки частоты 0.12 Гц Точность установки фазы 14-бит Точность установки амплитуды 10-бит

3211443

Штука

28 215.02

1

28 215.02

22

Микросхема 8. Назначение: преобразователь уровней. Корпус SOIC-8-3.9 Количество линий 2 Количество каналов 2 Количество линий в канале 1 Тип входного сигнала PECL Тип выходного сигнала TTL Напряжение питания входа 4.75...5.25 В Напряжение питания выхода 4.75...5.25 В Задержка прохождения сигнала (макс) 3.5 нс Рабочая температура -40...85 °C

3211443

Штука

165.20

10

1 652.00

23

Микросхема 10. Назначение направленный ответвитель Тип монолитный Диапазон частот 2.3 ГГц 2.9 ГГц Связь 3дБ Вносимые потери 0.2 дБ Максимальная мощность – 80 Вт Изоляция 20 дБ Обратные потери 20.1 дБ

3211443

Штука

495.42

10

4 954.20

24

Микросхема 11. Назначение направленный ответвитель Тип монолитный Диапазон частот 2.3 ГГц 2.9 ГГц Связь 30дБ Вносимые потери 0.1 дБ Максимальная мощность – 200 Вт Обратные потери 25 дБ

3211443

Штука

681.20

10

6 812.00

25

Соединитель 2. Назначение: board to board соединитель Шаг выводов 1,27 мм Количество выводов – 25 Материал выводов – бериллиевая бронза Высота профиля – 3 мм.

3211443

Штука

328.21

18

5 907.78

26

Микросхема 12. Назначение - высокоскоростной буфер Число каналов – 16 Логические уровни – КМОП/ ТТЛ Рабочая частота – 1,25 ГГц (на нагрузку 2 пФ) Длительность фронта (по уровню 0,8 – 2 В) – 800 пс Рабочие напряжения – 1,6 – 3,6 В Задержка распространения – 1, 5 нс. Корпус – TSSOP 48

3211443

Штука

287.96

10

2 879.60

27

Отладочная плата 5. Назначение графическая матрица с драйвером Рабочее напряжение 4 5.5 В Рабочий ток 40 мА Диапазон рабочих температур- 30 …+ 70 C Цветность RGB Разрешение 160 x 128 Видимая область 33.6x 27 мм Угол обзора 160 ° Micro SD разъем для подключения карты памяти Тип ОLED

3211443

Штука

4 334.88

1

4 334.88

28

Отладочная плата 6. Назначение прозрачная графическая матрица с драйвером Рабочее напряжение 4 5.5 В Рабочий ток 40 мА Диапазон рабочих температур- 30 …+ 70 C Цветность RGB Разрешение 160 x 128 Видимая область 33.6x 27 мм Угол обзора 160 ° Micro SD разъем для подключения карты памяти Тип ОLED

3211443

Штука

11 146.85

1

11 146.85

29

Отладочная плата 7. Назначение графическая матрица с драйвером Рабочее напряжение 4 5.5 В Рабочий ток 40 мА Диапазон рабочих температур- 30 …+ 70 C Цветность RGB Разрешение 128 x 128 Видимая область 33.6x 27 мм Угол обзора 160 ° Micro SD разъем для подключения карты памяти Тип ОLED

3211443

Штука

3 018.94

1

3 018.94

30

Отладочная плата 8. Назначение графическая матрица с сенсорным полем и драйвером Рабочее напряжение 4 5.5 В Диапазон рабочих температур- 10 …+ 70 C Цветность RGB Видимая область 4,3“ Разрешение 480 x 272 Тип LCD Micro SD разъем для подключения карты памяти Интерфейс управления UART

3211443

Штука

9 443.96

1

9 443.96

31

Втулка питания. Назначение – широкополосная втулка питания. Фронт (10%-90%) 12 пс Емкость 0.03 мкФ, ±20% Верхняя частота (-3 дБ) >20 GHz [2] Максимальное постоянное напряжение 50 В Нижняя частота (-3 dB) 65 кГц Индуктивность 340 мкГн, ±20% Максимальный постоянный ток 500 мА. Вносимые потри, не более 1,5 дБ Задержка не более 200 пс Изоляция >25 дБ

3211443

Штука

18 578.08

2

37 156.16

32

Конденсатор. Назначение – широкополосный разделительный конденсатор. Емкость 2.2 мкФ, -50, +80% Верхняя частота (-3 дБ) >26 ГГц Нижняя частота (-3 dB) 0,7 кГц Фронт (10%-90%) 8 пс Импеданс 50 Ом

3211443

Штука

10 372.70

2

20 745.40

33

Соединитель 3. Вид соединителя D-Type, Micro-D Тип соединителя Папа Монтаж: на кабель Число контактов 15 Число рядов 2 Монтаж – пайка Особенность - экранированный Покрытые контактов – золото Толщина покрытия - 0.38мкм Температурный диапазон -55°C ~ 125°C Максимальное напряжение 350 В

3211443

Штука

1 966.18

10

19 661.80

34

Микросхема 5. Назначение: высокоскоростной компаратор. Число элементов в схеме: 1 Выход: дифференциальный PECL. Напряжение питания: ±4.75 В - 5.25 В Подавление синфазной составляющей: 80дБ; Задержка сигнала: не более 180 пс; Гистерезис: ±1мВ; Длительность фронта/спада: не более 500 пс; Корпус QSOP; Количество выводов: 16.

3211443

Штука

882.41

10

8 824.10

35

Микросхема 6. Назначение: SPDT ключ Рабочий диапазон частот: 0 – 8 ГГц Значение IIP3: 36 дБм Импеданс: 50 Ом Вносимые потери: 1.5дБ @ 8 ГГц Изоляция: 33 дБ @ 8 ГГц Компрессия P1dB: 23 дБм Корпус:8-TSSOP Тип: Поглощающий

3211443

Штука

322.21

10

3 222.10

1