Contract profile
Contract number: | 1540810005717000044 |
Amount of contract | 119 646.94 RUB |
Region | Новосибирская область |
Contracting method: | Электронный аукцион |
Auction date: | 2017-09-19 |
Contract conclusion date: | 2017-10-02 |
Publication date: | 2017-10-03 |
Term of contract: | 2017-10-12 |
Federal law: | 44-ФЗ |
Link to zakupki.gov.ru: | |
Link to .json file of the contract: | Перейти |
Number of suppliers: | 1 Show |
Customer
Customer's name: | Новосибирский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук "Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники" |
TRN / TRRC : | 5408100057 / 540802001 |
Number of contracts (94/44 Federal Law): | 196 |
Number of contracts (223 Federal Law): | 52 |
Amount of contracts (94/44 Federal Law): | 201 169 063 RUB |
Amount of contracts (223 Federal Law): | 33 543 609 RUB |
Не нашли, что искали? Нашли ошибку или персональные данные?
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Свяжитесь с нами через форму "Напишите нам" (Справа на экране).
Предметы контракта:
#
|
The name of the product, works, services
|
Product code
|
Measurement units
|
Price per unit
|
Number
|
Price,
RUB
|
---|---|---|---|---|---|---|
1
|
AD8041AR Analog Devices микросхема, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
200.00
|
9.0
|
1 800.00
|
2
|
AD9762ARU Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
970.00
|
6.0
|
5 820.00
|
3
|
CY7C1380F-167BZI Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
1 935.00
|
24.0
|
46 440.00
|
4
|
EP3C120F780I7 Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
12 500.00
|
2.0
|
25 000.00
|
5
|
EPCS64SI16N Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
200.00
|
3.0
|
600.00
|
6
|
FT2232HQ (типоразмер QFN64_M - d) Микросхема, Великобрита?ния
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
650.00
|
6.0
|
3 900.00
|
7
|
SN65LVDS391PW Texas Instruments микросхема, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
154.00
|
54.0
|
8 316.00
|
8
|
SN65LVDT388ADBT Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
550.00
|
36.0
|
19 800.00
|
9
|
TPS62205DBVT Texas Instruments микросхема, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
50.00
|
6.0
|
300.00
|
10
|
TPS64200DBVR Микросхемы, США
|
26.70.23.190
|
ШТ
|
50.00
|
6.0
|
300.00
|
11
|
BDW93C Транзистор, Швейцария
|
26.11.21.120
|
ШТ
|
40.00
|
8.0
|
320.00
|
12
|
SI2323DS-T1-E3 Vishay/Siliconix транзистор, США
|
26.11.21.120
|
ШТ
|
9.00
|
12.0
|
108.00
|
13
|
КТ863БС (корпус ТО-263) Транзистор, Россия
|
26.11.21.120
|
ШТ
|
29.00
|
8.0
|
232.00
|
14
|
KP-1608SURC Диод, Тайвань
|
26.11.21.110
|
ШТ
|
5.00
|
30.0
|
150.00
|
15
|
KP-1608VGC Диод, Тайвань
|
26.11.21.110
|
ШТ
|
5.00
|
30.0
|
150.00
|
16
|
MBR0540T1 (ChipA) Диод, США
|
26.11.21.110
|
ШТ
|
10.00
|
9.0
|
90.00
|
17
|
PGB1010603MR Littelfuse диод, США
|
26.11.21.110
|
ШТ
|
6.00
|
30.0
|
180.00
|
18
|
Тип А 16В 10мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
6.00
|
30.0
|
180.00
|
19
|
Тип А 6,3В 10мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
6.00
|
120.0
|
720.00
|
20
|
Тип С 6,3В 100мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
15.00
|
30.0
|
450.00
|
21
|
Тип С 10В 47мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
10.00
|
30.0
|
300.00
|
22
|
Тип Е 6,3В 680мкФ ±10% Конденсаторы танталовые, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
50.00
|
60.0
|
3 000.00
|
23
|
0603 COG 50В 10пФ Конденсаторы керамические, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
0.50
|
30.0
|
15.00
|
24
|
0603 COG 50В 22пФ Конденсаторы керамические, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
0.50
|
30.0
|
15.00
|
25
|
0603 X7R 50В 0,1мкФ Конденсаторы керамические, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
0.50
|
300.0
|
150.00
|
26
|
0603 X7R 25В 0,22мкФ Конденсаторы керамические, Тайвань
|
27.90.53.000
|
ШТ
|
0.50
|
450.0
|
225.00
|
27
|
CAT16-102J4LF Bourns резисторы, США
|
27.90.13.123
|
ШТ
|
1.00
|
12.0
|
12.00
|
28
|
CAT16-103J4LF Bourns, резистор, США
|
27.90.13.123
|
ШТ
|
1.00
|
12.0
|
12.00
|
29
|
0603 100 кОм ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
30
|
0603 100 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
31
|
0603 1 кОм ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
32
|
0603 24,9 Ом ±1% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
33
|
0603 2 кОм ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
34
|
0603 51 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
180.0
|
36.00
|
35
|
0603 75 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
36
|
0603 0 Ом Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
37
|
0603 200 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
60.0
|
12.00
|
38
|
0603 470 Ом ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
60.0
|
12.00
|
39
|
0603 68 кОм ±5% Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
0.20
|
30.0
|
6.00
|
40
|
0603 0,01 Ом Резисторы, Тайвань
|
27.90.60.000
|
ШТ
|
1.00
|
30.0
|
30.00
|
41
|
KXO-V97T 20 MHz Кварц, Германия
|
27.11.10.130
|
ШТ
|
100.00
|
6.0
|
600.00
|
42
|
LQH32CN330K53L Индуктивности, Япония
|
27.33.13.164
|
ШТ
|
10.00
|
12.0
|
120.00
|
43
|
LQM21DN100N00D (Murata) индуктивность, Япония
|
27.33.13.164
|
ШТ
|
2.00
|
12.0
|
24.00
|
44
|
CDRH4D28-100N Индуктивности, Тайвань
|
27.11.50.130
|
ШТ
|
15.00
|
12.0
|
179.94
|
Supplier info
#
|
Name
|
Address:
|
TRN
|
TRRC
|
---|---|---|---|---|
1
|
7736261847
|
773601001
|
Budget article:
#
|
Budget classification code (KBK)
|
Date
|
Amount, RUB.
|
---|---|---|---|
1
|
00000000000000000224
|
10.2017
|
119646.94
|
Comments: